RGL41KHE3_A/I
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Deutsch
Artikelnummer: | RGL41KHE3_A/I |
---|---|
Hersteller / Marke: | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3 V @ 1 A |
Spannung - Sperr (Vr) (max) | 800 V |
Technologie | Standard |
Supplier Device-Gehäuse | DO-213AB |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Serie | Automotive, AEC-Q101, Superectifier® |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 500 ns |
Verpackung / Gehäuse | DO-213AB, MELF (Glass) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur - Anschluss | -65°C ~ 175°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 5 µA @ 800 V |
Strom - Richt (Io) | 1A |
Kapazität @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
Grundproduktnummer | RGL41 |
RGL41KHE3_A/I Einzelheiten PDF [English] | RGL41KHE3_A/I PDF - EN.pdf |
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() RGL41KHE3_A/IVishay General Semiconductor - Diodes Division |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|